BSC0910NDIATMA1

功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8

制造商:infineon technologies

系列:OptiMOS??

包装:带卷(TR)

零件状态:有效

FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动

漏源极电压(Vdss):25V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A, 31A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.6 毫欧 @ 25A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4500pF @ 12V

功率 - 最大值:1W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerTDFN

供应商器件封装:PG-TISON-8

标准包装:5,000

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